In ambitus proin seu systemata proin, totius ambitus seu systematis saepe componitur ex multis fundamentalibus Proin machinis, ut Filtra, copulata, potentia divisorum, etc. Optandum est per has cogitationes, efficenter transmittere signum virtutis ab uno ad punctum. alterum cum minimo detrimento;
In tota systemate radar vehiculorum, industria conversio maxime implicat translationem virium a chip ad pascens in tabula PCB, translatio pascentis ad antennae corpus, et radiatio efficientis virium antennae.In tota industria processus translationis, pars magna est consilium convertentis.Conversi in systematibus millimetris fluctuum maxime includunt microstrip ad subiectionem ad conversionem (SIW) integratam, microstrip ad conversionem agitantem, SIW ad conversionem elevantem, ad conversionem coaxialem, ad conversionem elevantem, ad conversionem elevantem et ad varias conversionis undarum rationes fluctuantem.Haec quaestio in microband SIW conversionem designabit.
Genera onerariis structurarum
Microstripest unus e celeberrimarum structurarum duce ad relative low Proin frequentiis adhibitis.Praecipua eius utilitates structurae simplices sunt, humilis sumptus et altae integrationis cum superficiei montis componentibus.Microstrips typica linea formatur conductoribus ex una parte stratis dielectricis substratae, ex altera parte, cum aere supra illud unum planum facit.Summum conductor basically materia conductiva (plerumque aeris) in filum angustum formatur.Linea latitudo, crassitudo, permissio relativa, et damnum dielectric tangens subiecti ambitus magni momenti sunt.Accedit, Crassitudo conductoris (id est, densitas metallizationis) et conductor conductoris etiam in frequentiis superioribus critica sunt.His parametris diligenter considerandis et microstripis lineis utendo ut unitas fundamentalis in aliis machinis, multae proin artes et partes impressae designari possunt, ut Filtra, coniugatores, potentiae divisores/combinatores, mixtores, etc. Tamen sicut frequentia crescit (movens ad Proin frequentiorum relative altum) damna transmissionis incrementa et radiorum eveniunt.Ergo tubus cavus waveguides ut rectangularibus waveguides praefertur propter minora damna in frequentiis superiorum (nulla radiorum).Intus waveguide plerumque aer.Sed si vis, materia dielectric impleri potest, ei dans sectionem transversim minorem quam waveguide gas-referta.Tubus tamen cavae undae saepe ponderosae sunt, maxime in inferioribus frequentiis gravis esse possunt, superiores exigentias fabricandi requirunt et pretiosae sunt, nec cum planis impressis structurae integrari possunt.
RFMISO MICROSTRIP ANTENNA PRODUCTS
RM-MA25527-22,25.5-27GHz
RM-MA425435-22,4.25-4.35GHz
Alia est ductu hybridorum structura inter microstrip structuram et waveguide, quae subiecta vocatur waveguide integrata (SIW).SIW est integralis fluctuationis instar structura in materia dielectric fabricata, cum conductoribus superne et imis et lineari ordine duarum viarum metallicarum latera formantium.Comparari cum microstrip et structuris agitatione, SIW sumptus efficax est, faciliorem processus fabricandi habet, et cum planis machinis integrari potest.Praeterea frequentiis in altum perficientur melius est quam structurae microstrip et proprietates dispersionis waveguide habet.Ut patet in Figura I;
SIW design guidelines
Substratae (SIWs) fluctuationes (SIWs) integratae sunt structurae fluctuum instar fabricatae utendo duobus ordinibus metallorum vias fixae in dielectric iunctis duabus catillis metallicis parallelis.Ordines metalli per foramina parietum latus formant.Haec structura characteres microstrip lineas et waveguides habet.Processus fabricandi similis est etiam aliis aedificiis planis impressis.Geometria typica SIW in Figura 2.1 ostenditur, ubi latitudo eius (id est separatio inter vias in directione laterali (as)), diametri vias (d) et picis longitudinem (p) designant structuram SIW. Praecipuae parametri geometricae (in Figura 2.1) in sequenti articulo explicabuntur.Nota quod modus dominans est TE10, sicut rectangularis waveguide.Relatio inter intervalli interclusionis fc de ducibus undis refertis (AFWG) et dielectric-abundis (DFWG) ac dimensionibus a et b, est primum punctum designatum SIW.Nam aerem repleti undis, frequentia intervalli ut in formula infra ostendetur
SIW fundamentum structurae et formulae calculi [1]
ubi c est celeritas lucis in spatio vacuo, m et n sunt modi, a est magnitudo volubilis longior, et b est magnitudo volubilis brevior.Cum modus agit in TE10, facilior fieri potest ad fc=c/2a;cum dielectricis agitatio repletur, latus latitudinis a computatur ad=a/Sqrt(εr), ubi εr est constans dielectrici medii;ut SIW in TE10 modum operetur, foramen per foramen p, diametrum d et latus latum, ut formulae ius superius figurae infra satisfaciat, sunt etiam formulae empiricae d<λg et p<2d [ 2];
where λg is the guided wavelength wavelength : Eodem tempore, quo substrata crassitudo non afficit SIW molem design, sed structurae jacturam afficiet, ita humilitas jacturae commoda altae crassitudinisque subjecti considerari debent. .
Microstrip ad SIW conversionem
Cum microstrip structura cum SIW coniungi debet, microstripi acuminati transitus unus e praecipuis modis transitus praelatus est, et transitus acuminati plerumque praebet copulam latam cum aliis transitibus impressis comparatam.Transitus bene designatus cogitationes valde humilis habet, et insertio iacturae imprimis causatur a damnis dielectricis et conductoris.Electio materiae substratae et conductoris damnum transitus maxime determinat.Cum crassitudo subiecti impedit lineam microstri latitudinem, parametri ad acuminati transitus componi debent cum crassitudo mutationum subiectarum.Alterum genus fundatorum coplanaris (GCPW) est etiam structurae lineae transmissionis late adhibitae in systematis frequentiae summus.Ductores lateris ad medium transmissionis lineam etiam pro terra appropinquant.Latitudinem praecipuae satietatis et lacunam ad latera humum aptando, impedimentum debitae obtineri potest.
Microstrip ad SIW et GCPW ad SIW
Figura infra exemplum est consilii microstrip ad SIW.Medium usus est Rogers3003, dielectricum constans est 3.0, verum valorem damnum 0.001, crassitudo 0.127mm est.Latitudo nutriens ad utrumque finem est 0.28mm, quae latitudine antennae pascentis congruit.Per foramen diameter est d=0.4mm, et spacium p=0.6mm.Simulatio magnitudo est 50mm*12mm*0.127mm.Suprema damnum in passband est circiter 1.5dB (quod amplius minui potest per spacium latae partis optimizing).
SIW structuram et S parametri
Electric field distribution@79GHz
Post tempus: Jan-18-2024
